鎵鋅合金散熱

希臘METLEN集團投資3億歐元開發鋁土礦、氧化鋁和鎵

希臘的能源和金屬生產商METLEN近日宣布，公司已就鋁土礦、氧化鋁和鎵生產投資 2.955 億歐元（3.041 億美元）做出最終投資決定該投資于2025 年1 月16日在與公司資本配置委員會的聯席會議上獲得批準 該項目將在希臘鋁廠實施，包括開發新的鋁土礦礦床、建設鎵生產設施、擴大氧化鋁生產以及升級能源和港口基礎設施目標是年產200萬噸鋁土礦、126萬噸氧化鋁和50噸鎵鋁土礦項目計劃于 2026 年完成并投產，氧化鋁和鎵的生產將從2027年開始逐步開始，到2028年全面投產。

國際資訊

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（1.10-1.17）

一、市場綜述 1、銻市穩定為主，即將年底收官 本周，國際市場上2號銻錠的價格持續攀升，已達到43000美元/噸的新高國內價差越來越高銻市場呈現出整體穩定、局部微調的特點受礦石供應緊張及下游需求不旺的雙重影響，市場價格均維持在相對穩定的水平，未出現大幅波動未來一段時間內，預計銻市場將繼續維持這種穩定態勢。

周報

自然資源部：鎵、鍺等近半數金屬礦產來源于綜合利用

1月14日下午，自然資源部舉行1月份例行新聞發布會自然資源部地質勘查管理司司長熊自力在發布會上表示，我國礦產資源綜合利用技術取得重大突破，大量“非礦”資源轉化為可利用資源我國礦產資源綜合利用率實現大幅提升，綜合利用水平已達國際領先水平，鎢、錫、釩、鈦、鎵、鍺等近半數金屬礦產來源于綜合利用

國內資訊

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（1.3-1.10）

一、市場綜述 數據來源：上海鋼聯 數據來源：上海鋼聯 1、銻市繼續持穩 本周，國際市場上2號銻錠的價格持續攀升，已達到42500美元/噸的新高。

周報

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（12.27-1.3）

一、銻市逐漸穩定，市場交易冷清 本周，國際市場上2號銻錠維持43000美元/噸近期，國內外市場變動不大，價格穩定，交易比較冷清，各企業幾乎封賬，進行年終總結和2025年規劃等由于國際貿易環境的不確定性和政策變動，銻品出口遭遇了一系列阻礙，這一局勢直接導致了國內銻市場參與者信心的動搖受此影響，國內銻價在短時間內經歷了一段下滑的歷程，市場氛圍普遍彌漫著對銻價未來走勢的悲觀情緒然而，就在市場情緒跌至谷底之際，市場參與者開始重新審視當前的供需格局，并期待這一變化能為市場帶來新的穩定因素。

周報

中礦資源擬建設涉及鍺鎵的多金屬綜合循環回收項目

12月27日，中礦資源公告，公司下屬控股子公司SinomineTsumebSmelter(Propritary)Limited擬投資建設20萬噸/年多金屬綜合循環回收項目，項目估算投資總額22251.00萬美元，其中建設投資20484.00萬美元，資金來源為Tsumeb冶煉廠自有資金、自籌資金等方式 Tsumeb冶煉廠保有的（探明+控制）類別資源量共計294.35萬噸礦石量，其中鍺金屬含量746.21噸，平均品位253.51克/噸；鎵金屬含量409.62噸，平均品位139.16克/噸；鋅金屬含量209458.72噸，平均品位7.12%。

國內資訊

中國首條氮化鎵半導體激光器芯片量產線在柳州建成投產

12月27日，柳州市官方在南寧召開新聞發布會廣西柳州市市長介紹，柳州市堅持傳統產業與新興產業兩端發力，大力實施新興產業壯大三年行動其間，中國首條氮化鎵半導體激光器芯片量產線在柳州建成投產，累計建成新能源產能45.5GWh，鋰電池電芯產量增長74%

國內資訊

兆馳股份：將對外投資建設基地，主要生產砷化鎵等

近日，兆馳股份發布公告，將對外投資建設光通信高速模塊以及光器件項目（一期）和光通信半導體激光芯片項目（一期）本項目擬建設光通信半導體激光芯片產品生產基地，主要生產砷化鎵、磷化銦化合物半導體產品等，主要應用為光芯片技術領域的VCSEL激光芯片及光通信半導體激光芯片一期建設周期3年，項目一期建設擬投資金額不超過5億元，資金來源為自有資金或自籌資金

國內資訊

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（12.20-12.27）

一、市場綜述 數據來源：上海鋼聯 數據來源：上海鋼聯 1、銻市逐漸穩定，市場交易冷清 本周，國際市場上2號銻錠的價格持續攀升，已達到43000美元/噸的新高。

周報

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（12.13-12.20）

一、市場綜述 數據來源：上海鋼聯 數據來源：上海鋼聯 1、國內外銻價背道而馳，內需亟待提振 本周，國際市場上2號銻錠的價格持續攀升，已達到43000美元/噸的新高。

周報

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（12.6-12.13）

一、市場綜述 數據來源：上海鋼聯 數據來源：上海鋼聯 1、銻價格與策略的雙重調整 本周，國際市場上2號銻錠的價格持續攀升，已達到39500美元/噸的新高。

周報

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（11.29-12.6）

一、市場綜述 數據來源：上海鋼聯 數據來源：上海鋼聯 1、銻國內外價差持續擴大，國內市場彌漫觀望謹慎情緒 本周，國外2號銻錠價格繼續上漲至39000美元/噸，歐洲氧化銻38000美元/噸，美國20美元/磅以上，國內外價差繼續變大。

周報

商務部：原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關兩用物項對美國出口

12月3日，商務部發布公告稱，根據《中華人民共和國出口管制法》等法律法規有關規定，為維護國家安全和利益、履行防擴散等國際義務，決定加強相關兩用物項對美國出口管制現將有關事項公告如下：一、禁止兩用物項對美國軍事用戶或軍事用途出口二、原則上不予許可鎵、鍺、銻、超硬材料相關兩用物項對美國出口；對石墨兩用物項對美國出口，實施更嚴格的最終用戶和最終用途審查任何國家和地區的組織和個人，違反上述規定，將原產于中華人民共和國的相關兩用物項轉移或提供給美國的組織和個人，將依法追究法律責任。

國內資訊

Mysteel：商務部加強兩用物項對美出口管制 銻鍺鎵或迎來波動

一、公告詳情 2024年12月03日，根據《中華人民共和國出口管制法》等法律法規有關規定，為維護國家安全和利益、履行防擴散等國際義務，決定加強相關兩用物項對美國出口管制現將有關事項公告如下： 一、禁止兩用物項對美國軍事用戶或軍事用途出口。

主編視角

商務部：關于加強相關兩用物項對美國出口管制的公告（銻鍺鎵）

國內資訊

Mysteel周報：小金屬市場盤點——銻鉍銦鍺鎵硒（11.22-11.29）

一、市場綜述 數據來源：上海鋼聯 數據來源：上海鋼聯 1、光伏減產目標即將達成，銻國內需求冷清（點擊即可跳轉） 本周，國外2號銻錠價格保持不變，最高價維持38500美元/公噸，國內銻市價格走勢平穩，未出現明顯波動。

周報

杭州鎵仁半導體取得氧化鎵晶體生長裝置專利

2024年11月26日，國家知識產權局信息顯示，杭州鎵仁半導體有限公司取得一項名為“一種氧化鎵晶體生長裝置”的專利，授權公告號CN222043410U，申請日期為2023年12月專利摘要顯示，本實用新型公開一種氧化鎵晶體生長裝置，包括生長爐和冷卻機構，生長爐包括底座、側保溫筒和加熱線圈，底座、側保溫筒與蓋板圍成生長腔體，并內置坩堝組件，蓋板包括外側蓋板和中心蓋板，加熱線圈、底座以及坩堝組件保持固定，側保溫筒以及外側蓋板相對于底座往復滑動能夠改變生長腔體的容積，中心蓋板活動設置于散熱孔處，也可以受控升降；在氧化鎵晶體生長過程中，生長腔體內的熱量也可以沿籽晶桿導出生長爐外部，確保引晶穩定性；側保溫筒相對于底座向上滑動，壓縮熱腔體積，使晶體和散熱孔的間距縮短，能夠增強熱量導出效果。

國內資訊

貴州華錦金屬鎵項目投產

貴州華錦鋁業有限公司作為貴州省最大的氧化鋁生產供應商，近日宣布10月份氧化鋁產值超5億元，同比增長38%，提前完成全年目標，并在2024年第四季度成功投產運行平穩的金屬鎵項目，為企業注入了新動力該項目采用酸法生產工藝，通過一系列復雜工序，最終生產出純度達到99.999%的5N級產品金屬鎵目前，華錦鋁業已經生產出4噸左右的金屬鎵

國內資訊

光智科技申請新型鎵源除氣專利

2024年11月27日，國家知識產權局信息顯示，安徽光智科技有限公司申請一項名為“一種新型鎵源除氣的方法”的專利，公開號CN119020857A，申請日期為2024年8月專利摘要顯示，本發明涉及Ⅲ族化合物材料技術領域，尤其涉及一種新型鎵源除氣的方法，包括鎵源除氣和GaAs外延層的生長，并提供了具體的鎵源除氣步驟本發明在真空條件下，在生長室內對Ga源進行多步升溫除氣，去除Ga源中的雜質以及氧化物，并通過外延設備生長了GaAs外延層材料，利用缺陷分析儀和電子顯微鏡表征手段驗證了本發明中的除氣方法，可以有效地降低GaAs外延層中的缺陷數量以及大尺寸缺陷的數量。

國內資訊

廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司取得一種發光二極管專利

2024年11月27日，國家知識產權局信息顯示，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司取得一項名為“一種發光二極管”的專利，授權公告號CN222051802U，申請日期為2023年12月專利摘要顯示，本申請公開了一種發光二極管，包括：外延層，外延層包括依次層疊設置的第一半導體層、發光層和第二半導體層；第一通孔，第一通孔貫穿第二半導體層和發光層，露出第一半導體層；至少一層介質層，至少一層介質層位于第二半導體層背離發光層的一側，覆蓋第一通孔的側壁，露出第一通孔的底部；第一金屬反射層，第一金屬反射層位于至少一層介質層背離第二半導體層的一側，且露出第一通孔；第二通孔，第二通孔貫穿至少一層介質層以及第一金屬反射層；第二金屬反射層，至少覆蓋第二通孔的側壁以及底部。

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