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更新时间:2025-01-09

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单晶硅片下调价格快讯

2024-12-20 11:25

2024年11月,单晶硅片进口量在2068.99万片,环比上升33.01%,同比上升1.65%;2024年11月,单晶硅片进口额为205325163美元,环比上升20.44%,同比上升52.25%,进口均价为9.92美元/片。

2024-12-20 11:17

2024年11月,单晶硅片出口量在39515.4万片,环比上升20.72%,同比下降49.04%;单晶硅片出口额为130872180美元,环比上升2.65%,同比下降65.74%,出口均价为0.33美元/片。

2024-11-20 15:07

2024年10月,单晶硅片出口量在32732.2万片,环比上升11.67%,同比下降57.5%;2024年10月,单晶硅片出口额为127489140美元,环比上升20.86%,同比下降68.87%,出口均价为0.39美元/片。

2024-11-20 15:04

2024年10月,单晶硅片进口量在1555.52万片,环比下降29.35%,同比上升50.46%;2024年10月,单晶硅片进口额为170474703美元,环比下降5.74%,同比上升33.5%,进口均价为10.96美元/片。

2024-11-11 09:47

2024年11月9日,国家知识产权局信息显示,包头美科硅能源有限公司申请一项名为“一种磷锑共掺掺杂工艺方法”的专利,公开号CN118910724A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明涉及单晶硅制造技术领域,具体涉及一种磷锑共掺掺杂工艺方法。包括加料掺杂和装置补掺;所述加料掺杂为炉台正常加料时加掺;所述装置补掺为炉台不加料时补掺;所述加料掺杂为先根据头部目标电阻计算锑金属和磷金属掺杂量,再进行加掺;所述装置补掺为先根据补掺公式计算锑合金补掺量再使用掺杂装置补掺本发明通过磷锑掺杂金属共同补偿,前期锑金属主导影响电阻率,后期锑金属挥发,磷金属电阻补偿实现电阻率一致性,最终电阻率可实现头尾电阻率差异在0.1Ω之间,提升硅片效率。

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